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2020年8月18日 (火)

SiCの研磨レート

パワー半導体用SiCの1次研磨工程の実験で研磨レート6μm/hに到達した。研磨装置の構造に剛性があって面圧を更に上げられるなら10μm/hは容易に狙える気がする。なお、他の援用効果を付加すれば15μm/hくらいまで上昇する見込み。今後はこのメカニズムを解明してゆく作業に着手する。

そしてこれは焼結材SiCで作られるミラーなど光学用途にも展開できる可能性があり、光学ピッチを使った研磨にも利用が可能だ。平滑性も抜群に良い成果が得られている。

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